高真空离子溅射仪
高真空离子溅射仪
| 联系人 | 殷老师 |
| 邮箱 | zjzx@bgi-graphene.com |
| 电话 | 010-834326667 |
| 地址 | 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南环路13号院中关村翠湖科技园2号楼 |
| 生产厂家 | YI XIN TECHNOLOGY (HK) CO. LTD |
| 型号 | Cressington 108 |
参考收费标准
开放机时安排
主要规格和技术参数
金靶；最大电流40mA，1. 样品仓尺寸： 120mm OD x 120mm H ，高强度不锈钢结构
主要功能及特色
溅射镀膜
主要附件及配置
主要针对导电性能较差样品
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电子束曝光系统（化学院B127）
电子束曝光系统（化学院B127）
| 联系人 | 殷老师 |
| 邮箱 | zjzx@bgi-graphene.com |
| 电话 | 010-834326667 |
| 地址 | 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南环路13号院中关村翠湖科技园2号楼 |
| 生产厂家 | FEI、Raith |
| 型号 | Quanta 250 FEG |
参考收费标准
开放机时安排
主要规格和技术参数
分辨率 二次电子 (SE) 成像 高真空模式： 30kV 时 1.0 nm；1kV 时 3.0 nm 低真空模式： 30kV 时 1.4 nm；3kV 时 3.0 nm 环境真空模式 (ESEM)：30kV 时 1.4nm 背散射电子 (BSE) 成像 高真空模式： 30kV 时 2.5 nm 放大倍数 高真空模式下：14x –
主要功能及特色
Elphy plus 图形发生器： 直写速度（12MHz），最小停留时间为84ns，最小停留时间增量为1ns 写场可在 0.5um x 0.5um ~ 2mm x 2mm 之间任意设定，写场分辨率为16bit。最小步距增量为 0.1 nm。
主要附件及配置
100nm以上图形的微纳加工
关闭
